High performance 100 nm T-gate strained Si/Si0.6Ge0.4 n-MODFET

F. Aniel, M. Enciso-Aguilar, L. Giguerre, P. Crozat, R. Adde, T. Mack, U. Seiler, Th Hackbarth, B. Raynor

Producción científica: Capítulo del libro/informe/acta de congreso › Contribución a la conferencia › revisión exhaustiva

3 Citas (Scopus)

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'High performance 100 nm T-gate strained Si/Si0.6Ge0.4 n-MODFET'. En conjunto forman una huella única.

Ingeniería y ciencia de los materiales

Química