Vibrational local mode of A1-implanted and laser annealed Ge

G. Contreras, M. Cardona, A. Compaan

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Resumen

High concentrations of substitutional Al atoms were achieved in Ge through implantation and laser annealing with a XeCl laser. The incorporation of Al in substitutional sites produces vibrational local modes (VLM's) of Γ15 symmetry which are observed by Raman spectroscopy.

Idioma originalInglés
Páginas (desde-hasta)857-859
Número de páginas3
PublicaciónSolid State Communications
Volumen53
N.º10
DOI
EstadoPublicada - mar. 1985
Publicado de forma externa

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Vibrational local mode of A1-implanted and laser annealed Ge'. En conjunto forman una huella única.

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