Decreasing the Vth shift of InGaZnO thin-film transistors under positive and negative bias stress using SU-8 as etch-stop and passivation layer

M. A. Lopez Castillo, P. G. Toledo-Guizar, J. A. Andraca Adame, R. Garcia, F. J. Hernandez Cuevas, M. Aleman, N. Hernandez-Como

Producción científica: Contribución a una revista › Artículo › revisión exhaustiva

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Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Decreasing the Vth shift of InGaZnO thin-film transistors under positive and negative bias stress using SU-8 as etch-stop and passivation layer'. En conjunto forman una huella única.

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