Cubic InxGa1−xN/GaN quantum wells grown by Migration Enhanced Epitaxy (MEE) and conventional Molecular Beam Epitaxy (MBE)

M. Camacho-Reynoso, C. A. Hernández-Gutiérrez, C. M. Yee-Rendón, C. Rivera-Rodríguez, D. Bahena-Uribe, S. Gallardo-Hernández, Yuriy Kudriavtsev, M. López-López, Y. L. Casallas-Moreno

Producción científica: Contribución a una revista › Artículo › revisión exhaustiva

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Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Cubic InxGa1−xN/GaN quantum wells grown by Migration Enhanced Epitaxy (MEE) and conventional Molecular Beam Epitaxy (MBE)'. En conjunto forman una huella única.

Química

Ingeniería y ciencia de los materiales