Characterization of highly doped Ga0.86In0.14As0.13Sb0.87 grown by liquid phase epitaxy

J. Díaz-Reyes, M. Galván-Arellano, J. G. Mendoza-Alvarez, J. S. Arias-Cerón, J. L. Herrera-Pérez, E. López-Cruz

Producción científica: Contribución a una revistaArtículorevisión exhaustiva

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Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Characterization of highly doped Ga0.86In0.14As0.13Sb0.87 grown by liquid phase epitaxy'. En conjunto forman una huella única.

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