Raman-scattering and structure investigations on porous SiC layers

T. V. Torchynska, A. Vivas Hernandez, A. Diaz Cano, S. Jiménez-Sandoval, S. Ostapenko, M. Mynbaeva

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Resumen

Raman scattering spectroscopy, scanning electron microscopy, and scanning acoustic microscopy were studied on porous SiC layers prepared by different technological routes and subjected to reactive ion treatment. The Raman spectra revealed a number of features specific for nanocrystallite materials, which can be used for characterization and diagnostics of porous SiC layers for technological applications.

Idioma originalInglés
Número de artículo033507
PublicaciónJournal of Applied Physics
Volumen97
N.º3
DOI
EstadoPublicada - 1 feb. 2005

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Raman-scattering and structure investigations on porous SiC layers'. En conjunto forman una huella única.

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