Modeling the effects of Si-X (X = F, Cl) bonds on the chemical and electronic properties of Si-surface terminated porous 3C-SiC

M. Calvino, A. Trejo, M. C. Crisóstomo, M. I. Iturrios, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson

Producción científica: Contribución a una revista › Artículo › revisión exhaustiva

8 Citas (Scopus)

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Modeling the effects of Si-X (X = F, Cl) bonds on the chemical and electronic properties of Si-surface terminated porous 3C-SiC'. En conjunto forman una huella única.

Física y astronomía

Química