EIS characterization of the barrier layer formed over Ti during its potentiostatic anodization in 0.1 M HClO 4/x mM HF (1 mM ≤ x ≤ 500mM)

Próspero Acevedo-Peña, Ignacio Gonzlez

Producción científica: Contribución a una revista › Artículo › revisión exhaustiva

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Huella

Profundice en los temas de investigación de 'EIS characterization of the barrier layer formed over Ti during its potentiostatic anodization in 0.1 M HClO 4/x mM HF (1 mM ≤ x ≤ 500mM)'. En conjunto forman una huella única.

Química

Ingeniería y ciencia de los materiales