Complex studies of porous silicon aging phenomena

T. V. Torchinskaya, N. E. Korsunskaya, L. Yu Khomenkova, M. K. Sheinkman, N. P. Baran, A. Misiuk, B. Surma

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Resumen

The complex studies of PS aging process show that two different substances take part in luminescence excitation. The nature of these substances is discussed. One of them is the species which is desorbed during aging with activation energy approximately 0.5-0.6 eV. The energy transfer from absorption to luminescence centers is supposed.

Idioma originalInglés
Páginas173-176
Número de páginas4
EstadoPublicada - 1997
Publicado de forma externa
EventoProceedings of the 1997 International Semiconductor Conference, CAS. Part 1 (of 2) - Sinaia, Romania
Duración: 7 oct. 199711 oct. 1997

Conferencia

ConferenciaProceedings of the 1997 International Semiconductor Conference, CAS. Part 1 (of 2)
CiudadSinaia, Romania
Período7/10/9711/10/97

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Complex studies of porous silicon aging phenomena'. En conjunto forman una huella única.

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