Response to “Comment on I. Lashkevych, O. Yu. Titov, and Yu.G. Gurevich, Ohm’s Law for a Bipolar Semiconductor: The Role of Carrier Concentration and Energy Nonequilibria, J. Electron. Mater., 46, 585 (2017)”

Igor Lashkevych; Oleg Yu Titov; Yuri G. Gurevich

doi:10.1007/s11664-017-5905-y

Response to “Comment on I. Lashkevych, O. Yu. Titov, and Yu.G. Gurevich, Ohm’s Law for a Bipolar Semiconductor: The Role of Carrier Concentration and Energy Nonequilibria, J. Electron. Mater., 46, 585 (2017)”

Igor Lashkevych, Oleg Yu Titov, Yuri G. Gurevich

Unidad Profesional Interdisciplinaria de Ingeniería y Tecnologías Avanzadas (UPIITA)

Producción científica: Contribución a una revista › Carta › revisión exhaustiva

Idioma original	Inglés
Páginas (desde-hasta)	901-902
Número de páginas	2
Publicación	Journal of Electronic Materials
Volumen	47
N.º	1
DOI	https://doi.org/10.1007/s11664-017-5905-y
Estado	Publicada - 1 ene. 2018

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10.1007/s11664-017-5905-y

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En: Journal of Electronic Materials, Vol. 47, N.º 1, 01.01.2018, p. 901-902.

Producción científica: Contribución a una revista › Carta › revisión exhaustiva

TY - JOUR

T1 - Response to “Comment on I. Lashkevych, O. Yu. Titov, and Yu.G. Gurevich, Ohm’s Law for a Bipolar Semiconductor

T2 - The Role of Carrier Concentration and Energy Nonequilibria, J. Electron. Mater., 46, 585 (2017)”

AU - Lashkevych, Igor

AU - Titov, Oleg Yu

AU - Gurevich, Yuri G.

N1 - Funding Information: The authors, I.L., O.T., and Yu.G., thank Consejo Nacional de Ciencia y Tecnolog´ia, Mexico for partial financial support. I.L. thanks Instituto Polit´ecnico Nacional, Unidad Profesional Interdisciplinaria en Ingenier´ia y Tecnolog´ias Avanzadas, for partial financial support.

PY - 2018/1/1

Y1 - 2018/1/1

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