Conductivity improvement of topological insulators of Bi2Se3 by the P-N heterojunction of Bi2Se3/biocl

Título traducido de la contribución: Mejoramiento de la conductividad de aislantes topológicos de Bi2Se3 por la heterounión P-N de Bi2Se3/biocl

M. Evaristo-Vázquez, M. L. Hernández-Pichardo, E. Rodríguez-González

Producción científica: Contribución a una revistaArtículorevisión exhaustiva

Resumen

New Bi2Se3/BiOCl composites were synthesized with a p-n heterojunction by two synthesis methods: coprecipitation and hydrothermal. Likewise, some synthesis parameters were modified such as the stabilizing agent concentration (EDTA) and the synthesis temperature. The materials were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), Raman spectroscopy and XPS spectroscopy. The electrical conductivity of the materials was determined by measuring the resistivity using the four point probe method. The results show that different growth mechanisms of the species are generated in the Bi2Se3/BiOCl composites, modifying the synthesis conditions. The morphologies and phases that are formed generate different electrical properties in these composites and the increase in the electrical conductivity of some samples can be attributed mainly to the formation of the stable p-n heterojunction between Bi2Se3 and BiOCl due to the generation of internal electric fields.

Título traducido de la contribuciónMejoramiento de la conductividad de aislantes topológicos de Bi2Se3 por la heterounión P-N de Bi2Se3/biocl
Idioma originalInglés
Páginas (desde-hasta)813-823
Número de páginas11
PublicaciónRevista Mexicana de Ingeniera Quimica
Volumen18
N.º3
DOI
EstadoPublicada - 1 sep. 2019
Publicado de forma externa

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Mejoramiento de la conductividad de aislantes topológicos de Bi2Se3 por la heterounión P-N de Bi2Se3/biocl'. En conjunto forman una huella única.

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