Group III-nitrides nanostructures

M. Pérez-Caro, M. Ramírez-López, J. S. Rojas-Ramírez, I. Martínez-Velis, Y. Casallas-Moreno, S. Gallardo-Hernández, B. J. Babu, S. Velumani, M. López-López

Producción científica: Capítulo del libro/informe/acta de congresoContribución a la conferenciarevisión exhaustiva

1 Cita (Scopus)

Resumen

We report on the growth and characterization of self-assembled InGaN columnar nanostructures grown by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) on Si(111) substrates. At a zero concentration of Ga, InN nanocolumns (NCs) were successfully grown. In the case of InGaN, the surface morphology is dependent on composition; however, in general, InGaN samples exhibit columnar features. At concentrations near 50%, the samples show phase separation; this result is explained in terms of solid phase immiscibility.

Idioma originalInglés
Título de la publicación alojadaAdvanced Summer School in Physics 2011, EAV2011
Páginas164-168
Número de páginas5
DOI
EstadoPublicada - 2012
Publicado de forma externa
EventoAdvanced Summer School in Physics 2011, EAV2011 - Mexico City, México
Duración: 25 jul. 201129 jul. 2011

Serie de la publicación

NombreAIP Conference Proceedings
Volumen1420
ISSN (versión impresa)0094-243X
ISSN (versión digital)1551-7616

Conferencia

ConferenciaAdvanced Summer School in Physics 2011, EAV2011
País/TerritorioMéxico
CiudadMexico City
Período25/07/1129/07/11

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Group III-nitrides nanostructures'. En conjunto forman una huella única.

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